Энергонезависимая память.

31 Октября 2011

Группа исследователей из Японии разработали технологию, позволяющую реализовать при помощи специальных логических чипов на КМОП-техпроцессе энергонезависимую память. Ученые использовали пленку из диоксида кремния в качестве ловушки заряда. Кремний изолирует затвор транзисторов. Раньше считалось, что такая пленка могла использоваться только для записи данных, так как для стирания информации требовалось дополнительное облучение ультрафиолетом. Но исследователи смогли разработать технологию удаления данных с помощью стока. Горячие электроны при записи информации вводятся также, как в NOR флэш-памяти. А когда происходит подача тока на сток – информация стирается. По словам руководителя группы исследователей профессора Такеши, данное явление случайно обнаружил один из студентов. Однако механизм удаления информации пока не выяснен. Но ячейка памяти, выполненная по 65-нм технологии, подтвердила возможность хранения и перезаписи данных в течение 10 лет. Память на техпроцессоре КМОП использовалась и ранее, но только теперь удалось получить оптимальный размер ячейки, который позволит применять данный вид памяти в микропроцессорах, не влияя на процесс эксплуатации и обслуживания компьютера.

Энергонезависимая память.

Написать комментарий

Имя (*):


Эл. почта (*):


Сообщение (*):


Введите код с картинки (*):




Поля отмеченные (*) обязательны к заполнению.
Мы не публикуем эл. адреса на сайте.