Micron будет разрабатывать энергозависимую память STT-MRAM.

01 Декабря 2011

Компания Micron совместно с DSI объявили о начале работ по разработке энергонезависимой памяти STT-MRA, которая должна прийти на смену стандартной NAND флэш-памяти. Новая память STT-MRAM представляет собой память с передачей вращательного спинового момента. На данный момент используются твердотельные накопители, базирующиеся на чипах NAND памяти, способной хранить данные при отключении питания. Также накопители не оснащены движущимися частями, и за счет этого более устойчивы к физическим нагрузкам по сравнению с винчестерами. Но производители флэш-памяти переходят на более тонкий техпроцесс, что влечет за собой увеличение мощности, которая затрачивается при записи и к сокращению срока службы ячеек памяти. Поэтому возникает потребность в энергонезависимых альтернативных типах памяти, таких как STT-MRAM. Данную память можно будет применять в качестве динамической памяти, повысив ее производительность. Разработчики сообщают, что использование такой памяти приведет к существенному упрощению процесса обслуживания компьютера.

Micron будет разрабатывать энергозависимую память STT-MRAM.

Написать комментарий

Имя (*):


Эл. почта (*):


Сообщение (*):


Введите код с картинки (*):




Поля отмеченные (*) обязательны к заполнению.
Мы не публикуем эл. адреса на сайте.