Новая память FeTRAM.

28 Октября 2011

Исследователи преступили к разработке нового типа компьютерной памяти. Он должен стать быстрее современной коммерческой памяти и значительно энергоэффективней, чем флэш-память. Новая технология объединяет нанопровода из кремния с ферроэлектрическим полимером – материалом, который меняет свою полярность при попадании в электрическое поле, при этом можно создать новый ферроэлектрический транзистор. Цифровые цепи могут прочитать полярность транзистора как 0 или 1, сохраняя информацию в двоичном коде. Такая технология получила название FeTRAM – это память случайного доступа на базе ферроэлектрических транзисторов. При отключении системы данные не пропадают, как это случается в динамической памяти (обещано хранение до 20 лет). При этом должно расходоваться на 99% меньше энергии, чем флэш-память. Пока неизвестно о внешнем виде памяти, ее габаритах и как она повлияет на процесс обслуживания компьютера. Но предполагаемые перспективы, обеспечивают ее конкурентоспособность по отношению к современным типам памяти.

Проблемы энергоэффективности остаются насущными и по сей день для многих организаций. В процессе сотрудничества со многими организациями в качестве провайдера услуг it аутсорсинга мы стараемся находить современные решения для оптимизации расходов на электроэнергию предприятий и офисов. Мы всегда следим за появлением новых энергосберегающих it технологий, чтобы затем задействовать их в своей работе.

Новая память FeTRAM.

Написать комментарий

Имя (*):


Эл. почта (*):


Сообщение (*):


Введите код с картинки (*):




Поля отмеченные (*) обязательны к заполнению.
Мы не публикуем эл. адреса на сайте.